LP3798EAM/EBM/ESM是芯茂微推出的「原邊控制+內(nèi)置SiC功率管」二合一方案，覆蓋12V2A-12V3A（24W-36W）主流功率段。無需光耦、TL431和肖特基，單層PCB即可通過EMI Class B，峰值效率>91%，BOM數(shù)量比傳統(tǒng)方案減少20%，特別適合小家電、智能鎖、機頂盒、電動工具等成本敏感且空間受限的應用。
訂購信息與功率選型
| 訂購型號 | 封裝 | 內(nèi)阻 | 推薦功率 | 備注 |
|---|
| LP3798EAM | ASOP-6 | 5Ω | 18W(90-265V) / 24W(176-265V) | 小外殼 |
| LP3798EBM | ASOP-6 | 1.2Ω | 24W(90-265V) / 36W(176-265V) | 通用型 |
| LP3798ESM | ASOP-6 | 1.0Ω | 24W(90-265V) / 36W(176-265V) | 小體積&大電流 |
所有子型號腳位兼容，僅SiC Rdson差異，可根據(jù)外殼尺寸和散熱條件快速切換。
典型應用電路（24W 示例）
輸出電壓由FB分壓設定（公式見Datasheet 式1）
恒流點由RCS設定（式11）：IOCP ≈ VREFCCP·NP/(NS·RCS)
無光耦、無TL431，單面PCB 45mm×39mm即可實現(xiàn)24W
管腳定義與封裝
底部散熱焊盤接GND，推薦開3×3過孔到內(nèi)層銅，熱阻θJA≈50°C/W。
內(nèi)部框架圖解讀
750V SiC Power MOSFET —— 去掉外部高壓MOS
PFM+抖頻振蕩器 —— 100kHz/65kHz/24kHz三檔，±3%周期抖動，EMI峰值降低5dB
CV/CC雙環(huán)路 —— 恒壓時采樣FB退磁電壓；恒流時采樣CS中心點電壓與退磁占比乘積
逐周期保護庫 —— OVP/UVP/OCP/OTP/TONMAX/FB開短路/CS開短路，全部自恢復
軟啟動&斜坡補償 —— 13.5ms階梯升峰，CCM占空比>50%也不出現(xiàn)次諧波振蕩
應用設計要點
啟動電阻RST
選1MΩ-2MΩ/0.25W，啟動電流僅2μA，待機功耗<75mW
變壓器設計
NP:NA:NS推薦210:28:14（24W）
漏感<25μH，降低尖峰
Bmax<0.35T，避免飽和
RCS計算
目標IOCP=2A，選RCS=0.25Ω/1W，公式見式11
FB分壓電阻
RFBH=24k，RFBL=4.3k，得到12V±1%
PCB布局
功率環(huán)路（母線電容-D-變壓器）面積<30mm2
CS采樣電阻Kelvin到GND，遠離高壓節(jié)點
VCC旁路1μF+100nF緊靠2腳
散熱焊盤打9孔0.3mm到內(nèi)層地，溫升再降8°C
實測性能（參考24W Demo）
峰值效率：91.2%@230V/1.5A
空載功耗：58mW@230V
輸出紋波：120mV（20MHz帶寬）
動態(tài)負載0-100%：ΔVo<±200mV，恢復<400μs
傳導EMI：QP余量>6dB@500kHz，無需共模電感
雷擊：±4kV L-PE/N-PE PASS
OTP：150°C自恢復，45°C殼內(nèi)滿載4h無降額
子型號切換指南
所有型號腳位相同，只需更改RCS與變壓器匝比，一周內(nèi)可完成平臺切換。
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總結(jié)
LP3798ExM系列把「750V SiC功率管+原邊CV/CC控制+全套保護」塞進ASOP-6，用一顆芯片解決傳統(tǒng)24W-36W適配器里“高壓MOS+肖特基+光耦+431”的復雜架構(gòu)。峰值效率>91%，待機<75mW，單層PCB過EMI，BOM成本立降20%。無論是小家電、智能鎖還是電動工具，選擇LP3798E就是選擇“外圍最少、體積最小、可靠性最高”的功率答案。
