FT8393MDD1-DRB 是FMD推出的 原邊反饋（PSR）恒流/恒壓控制器，內(nèi)部集成 650 V 功率 MOSFET，采用 SOP-7 封裝，目標功率 5 V/3.4 A（17 W）。最大亮點：無需光耦、無需 TL431、無需次級電流檢測，即可實現(xiàn) ±3 % 恒壓精度、±5 % 恒流精度，輕松滿足 DoE Level VI 能效，專為 USB 快充、機頂盒輔助電源、無線路由器適配器而設計。

典型應用電路：2 顆電阻 1 顆電容完事

BOM 極簡：

• 電流檢測：Rcs 一顆 1 % 電阻
• 電壓反饋：RFBU、RFBD 兩顆 1 % 電阻
• VCC 電容：10 μF/25 V X7R
• 輸出電容：470 μF ×2（低 ESR）
• 無 Y 電容設計，傳導 EMI 余量 > 6 dB

管腳封裝與定義（SOP-7）

內(nèi)部框圖：一顆芯片 = 控制器 + MOSFET + 保護器

關鍵模塊：

• QR 控制：谷底導通，最高 115 kHz，效率提升 2 %
• 線補：隨負載增大自動抬高 FB 基準，補償電纜壓降 3 %/6 %/9 % 可選
• CC 算法：原邊 Ipks 采樣 + 退磁時間計算，恒流精度 ±5 %
• CV 算法：輔助繞組平臺電壓與 2 V 基準比較，恒壓精度 ±3 %

電氣亮點速覽

調(diào)試錦囊

1. CC 點校準：
   IOUT = 0.5 × Kcc × NPS / Rcs
   Kcc = 500 mV，NPS = Np/Ns，Rcs 1 % 精度即可
2. 線補選型：
   MDD1 = 3 % 固定；MDD2 = 6 %；MDD3 = 9 %，根據(jù)電纜長度選
3. QR 變壓器：
   漏感 < 5 μH，諧振頻率 600 kHz-1 MHz，避免谷底錯位
4. EMI 優(yōu)化：
   DRAIN 鋪銅 < 8 mm × 8 mm，RCD 吸收并 100 pF 小電容，抑制振鈴

實測效率（Demo 板 5 V/3.4 A）

深圳三佛科技提供技術支持，批量價格有優(yōu)勢~

一句話總結

FT8393MDD1-DRB 用 一顆 SOP-7 芯片 + 2 顆電阻 + 1 顆電容 就把 17 W 快充做成“三無”產(chǎn)品：
無光耦、無 TL431、無次級電流檢測。
下次做 5 V 3.4 A 適配器，記住：
“MDD1 一貼，BOM 省一半，認證一次過。”